SSD накопитель Samsung MZ-V6E1T0BW
Отсутствует, смотрите другие варианты ниже
- Описание
- Обзор
- Отзывы
- Характеристики
- Объявления
- Форум
Характеристики Samsung MZ-V6E1T0BW в Урюпинск
Подробные характеристики SSD накопитель Samsung MZ-V6E1T0BW в Урюпинск
- Тип
- внутренний
- Назначение
- для ПК
- Емкость
- 1000 ГБ
- Форм-фактор
- M.2
- Интерфейс M.2
- PCI-E 4x
- Контроллер
- Samsung Polaris
- Объем буфера обмена
- 1024 МБ
- Тип памяти
- 3D TLC NAND
- NVMe
- есть
- Внешняя скорость записи
- 1900 МБ/сек
- Внешняя скорость считывания
- 3200 МБ/сек
- Ударостойкость при работе
- 1500 G
- Наработка на отказ
- 1.5 млн. ч
- IOPS записи
- 360 тыс
- IOPS считывания
- 380 тыс
- TBW
- 400 ТБ
- DWPD
- 0.4 раз/день
- Гарантия производителя
- 3 года
- TRIM
- есть
- Размеры (ШхГхТ)
- 22x80 мм
- Вес
- 8 г