Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CWED
Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CWED
Отсутствует, смотрите другие варианты ниже

Характеристики Samsung M471A5244CB0-CWED в Сысерть

Подробные характеристики Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CWED в Сысерть


 

 

Объем памяти комплекта
4 ГБ
Кол-во планок в комплекте
1 шт
Форм-фактор памяти
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Ранг памяти
одноранговая
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS-латентность
CL22
Схема таймингов памяти
22-22-22
Рабочее напряжение
1.2 В
Тип охлаждения
без охлаждения
Профиль планки
стандартный