Характеристики Silicon Power SP004GbVTU133N02 в Полонное

Подробные характеристики Оперативная память Silicon Power SP004GbVTU133N02 в Полонное


 

 

Объем памяти комплекта
4 ГБ
Кол-во планок в комплекте
1 шт
Форм-фактор памяти
DIMM
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота
1333 МГц
Пропускная способность
10666 МБ/с
CAS-латентность
CL9
Рабочее напряжение
1.5 В
Тип охлаждения
без охлаждения
Профиль планки
стандартный